中微半导体设备（上海）股份有限公司
🏭 公司概况
成立时间：2004年5月31日
上市时间：2019年7月22日
总部地址：上海市浦东新区
创始人、法定代表人及董事长：尹志尧
主营业务：高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售
行业地位：国产刻蚀设备龙头、氮化镓基LED MOCVD设备全球市场份额第一
公司是一家以中国为基地、面向全球的微观加工高端设备公司，致力于为全球集成电路和LED芯片制造商提供领先的加工设备和工艺技术解决方案。2020年，公司入列福布斯"中国最具创新力企业榜单"；2021年9月荣获第四届中国质量奖；2022年获批国家企业技术中心。2025年，公司凭借一项MOCVD设备基础核心发明专利荣获第二十五届中国专利银奖。
📜 历史沿革
中微公司成立于2004年，由国际等离子体刻蚀技术发展的重要推动者尹志尧博士创立。尹志尧曾带领美国Lam Research成为全球最大刻蚀机公司，而后加入应用材料（AMAT），再次带领AMAT跻身全球第一大刻蚀机公司。2004年8月，中微公司在上海张江高科技园区启动运营。
| 时间 | 标志性事件 |
|---|---|
| 2004年5月 | 公司在上海张江高科技园区成立 |
| 2007年6月 | 首台12英寸甚高频去耦合等离子体刻蚀设备Primo D-RIE研制成功并交付客户 |
| 2008年 | 入选国家科技重大专项（02专项）首批项目承担单位 |
| 2010年6月 | 推出首台TSV/MEMS/Dicing刻蚀设备，切入先进封装领域 |
| 2012年11月 | 推出首台MOCVD设备Primo D-BluE，拓展LED领域 |
| 2015年 | 以全球领先技术打破美国对中国等离子体刻蚀设备的出口管制 |
| 2017年 | 推出首台双反应台ICP刻蚀设备 |
| 2019年7月 | 成功登陆上海证券交易所科创板，成为首批上市企业之一 |
| 2021年6月 | 发布MOCVD设备Prismo UniMax® |
| 2023年 | 刻蚀设备新增订单价值69.5亿元 |
| 2024年 | 因被美国国防部列入中国军事企业清单提起诉讼，同年12月美方将其移出该清单 |
| 2025年3月 | 发布首款晶圆边缘刻蚀设备Primo Halona™ |
🏛️ 股权结构
公司的股权结构较为分散，不存在控股股东和实际控制人。主要股东包括国有股东、国家集成电路产业投资基金、创始人及员工持股平台等。
| 股东类型 | 代表股东/平台 | 持股情况（截至2022年Q3） |
|---|---|---|
| 国有创投机构 | 上海创业投资有限公司（第一大股东） | 约15.6% |
| 产业投资基金 | 巽鑫投资（国家集成电路产业投资基金100%控股子公司） | 约15.2% |
| 员工持股平台 | 南昌智微、中微亚洲、Grenade、Bootes、励微投资、芃徽投资等6家平台 | 合计约16.67% |
🧪 主营业务与产品矩阵
公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售，涉足半导体集成电路制造、先进封装、LED外延片生产、功率器件、MEMS制造以及其他微观工艺的高端设备领域。产品结构涵盖刻蚀设备、薄膜沉积设备和MOCVD设备三大类。
1. 刻蚀设备——核心主业（营收占比约80%）
刻蚀是半导体图案化过程的核心工艺。公司的等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65纳米到14纳米、7纳米、5纳米乃至更先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线。
截至2025年底，公司刻蚀设备反应台全球出货量已超过6800台，应用范围覆盖65纳米至3纳米及更先进制程的各类刻蚀场景，在国内主要客户芯片生产线的市占率持续稳步提升。2025年刻蚀设备销售收入约98.32亿元，同比增长约35.12%。
2. 薄膜沉积设备——快速增长的第二增长引擎
薄膜沉积设备是芯片制造三大核心设备之一，公司持续推进多款薄膜沉积设备的研发与量产。
| 产品类型 | 核心进展 | 关键数据 |
|---|---|---|
| LPCVD设备 | 钨系列薄膜沉积产品全面覆盖存储器件钨应用 | 2024年收到4.76亿元批量订单，实现销售收入1.56亿元；薄膜设备累计出货量已突破300个反应台 |
| ALD设备 | 原子层沉积技术，适用于先进制程 | 多款新型设备已进入市场并获得重复性订单 |
| EPI外延设备 | 硅和锗硅外延EPI设备 | 已顺利运付客户端进行量产验证，获得客户高度认可 |
2025年公司LPCVD和ALD设备销售收入约5.06亿元，同比增长约224.23%，成为驱动业绩增长的重要新引擎。按照公司规划，未来将陆续开发出40多种薄膜设备，长期来看薄膜设备营收占比将持续提升。
3. MOCVD设备——全球领先的泛半导体设备
公司的MOCVD设备是宽禁带半导体各种微观器件制造的最关键设备，采用单晶外延生长技术生产LED芯片、功率器件以及其它第三代半导体器件。在氮化镓基LED MOCVD设备领域，公司自2017年起已成为全球市场份额第一的设备制造商。
4. 其他核心设备布局
公司通过"有机生长+外延扩展"双轮驱动，不断拓展设备产品矩阵：
CMP设备：2026年3月，公司披露拟以约15.76亿元收购杭州众硅科技64.69%股权，切入化学机械抛光（CMP）设备领域
大平板设备：仅用18个月成功研发出OLED 8.6代线PECVD设备，薄膜厚度均匀性达标并进入产线认证，填补国内技术空白
🔬 技术研发与知识产权
公司始终坚持技术创新、产品差异化、知识产权保护三大原则，以自主研发为核心驱动力，持续保持高强度的研发投入。
公司六大类超二十款新设备同步推进，新产品研发周期从3至5年大幅缩短至2年以内。2025年，公司一项MOCVD设备基础核心发明专利荣获第二十五届中国专利银奖。
🌍 客户与市场地位
公司构建了全球化、多元化的客户体系，覆盖中国大陆及台湾、新加坡、韩国、德国、意大利等多个国家和地区的客户。截至2025年底，公司累计已有超过7800台等离子和化学薄膜的反应台，在国内外170多条生产线实现量产和大规模重复性销售。
🏗️ 产能布局
公司持续完善全国产能网络，强化高端半导体设备供给能力，构建以上海临港为核心、广州和成都为延伸的三大研发及生产基地布局。
| 生产基地 | 项目总投资 | 建设进展 | 定位 |
|---|---|---|---|
| 上海临港产业化基地 | — | 已建成投产 | 公司核心研发与制造总部基地 |
| 广州研发及生产基地 | — | 建设中 | 完善华南区域产业布局 |
| 成都研发及生产基地暨西南总部 | 约30.5亿元 | 2025年10月开工，计划2027年建成投产，一期占地50亩，计容建面约7万平方米 | 聚焦CVD、ALD等高端半导体前道设备研发制造，瞄准先进逻辑与存储芯片制造关键环节 |
三大基地全部建成后，公司未来厂房总面积将达到85万平方米，将全面增强产品研发与高端设备制造能力，深化在半导体及泛半导体产业链的战略布局。
为支撑成都项目的建设，中微四川公司注册资本由1亿元大幅增至10亿元，增幅达900%。
🔭 战略方向：三维立体发展+平台化集团化
公司实施"三维立体发展"战略，坚持"有机生长和外延扩展相结合"的双轮驱动策略。
一、深耕集成电路核心工艺设备（第一维度）
作为公司发展的核心基石，持续巩固刻蚀设备的领先优势，同时加速薄膜沉积设备扩展：
二、拓展泛半导体关键设备（第二维度）
三、投资及并购新兴设备品类（第三维度）
2025年2月，公司参股光电集成电路和光学传感领域企业，布局智能传感产业链
2026年3月，披露拟以约15.76亿元收购杭州众硅科技64.69%股权，切入CMP设备领域，使公司成为具备"刻蚀+薄膜沉积+量检测+湿法"四大前道核心工艺能力的厂商，向"集团化"和"平台化"发展迈出关键一步
四、履行"提质增效重回报"行动方案
公司2026年继续实施提质增效重回报行动，涵盖聚焦核心主业、加速新产品推出、加大研发投入、提升运营效率、重视股东回报等核心内容。
五、2035年远景目标
尹志尧博士提出，力争五年内覆盖60%以上集成电路高端关键设备与70%以上先进封装设备，2035年跻身全球半导体设备公司第一梯队，以技术自立自强助力我国半导体产业高质量发展。
📋 公司关键信息一览
| 关键信息 | 内容 |
|---|---|
| 公司全称 | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 英文全称 | Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China |
| 股票代码 | 688012.SH（科创板） |
| 成立日期 | 2004年5月31日 |
| 上市日期 | 2019年7月22日 |
| 创始人、法定代表人及董事长 | 尹志尧 |
| 注册地址 | 上海市浦东新区 |
| 控股股东 | 无（股权结构分散，无控股股东及实际控制人） |
| 所属行业 | 半导体设备 |
| 主营领域 | 刻蚀设备、薄膜沉积设备、MOCVD设备等高端半导体设备的研发、生产和销售 |